Samsung y Toshiba se unen para desarrollar nueva tecnología NAND-Flash

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Dos importantes fabricantes asiáticos, Samsung y Toshiba han firmado una alianza para crear la más avanzada tecnología para memorias NAND-Flash de alto rendimiento, está en sus planes conseguir incrementar el rendimiento hasta 10 veces más que las memorias actuales estándar y hasta 3 veces más que las arquitecturas de alto rendimiento.

La tecnología se llamará NAND-Flash DDR (Double Date Rate) y ofrecerá 400 Mbps de interfaz.

Las dos compañías intentarán que la industria utilice estas memorias y que se adapten a todo tipo de dispositivos en el futuro, de hecho ya han dado paso en ese sentido con su participación en junio en la JEDEC Solid State Technology Association, organismo regulador para la creación de estándares de memorias.

Fuente: Noticias 3D
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Creado: 23-Jul-2010, a las 17:12 Vistas: 705
Creado por: brochetas brochetas está desconectado (20-April-2010 | Colombia | 17.205 Mensajes.)