El dispositivo de memoria más rápido del mundo

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El dispositivo de memoria más rápido del mundo

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Toshiba Corporation anunció una DRAM de alto desempeño que alcanza increible velocidad de transferencia de datos de 6,4Ghz.

El XDR™ de 512 megabytes de segunda generación está diseñado para aplicaciones de ancho de banda de alto desempeño, incluyendo aparatos electrónicos digitales de consumo, sistemas de redes y sistemas gráficos.

El XDRTM DRAM está basado en la tecnología de interfaz de memoria XDR de Rambus (Nasdaq: RMBS) y ofrece una velocidad de datos octagonal (ODR), que soporta transferencias de ocho datos en un solo ciclo de reloj.

El DRAM (TC59YM916BKG) XDRTM de 512 megabits transfiere datos a 4.8GHz con un VDD de 1.8V y soporta una operación pico de 6.4GHz, la velocidad de transferencia de datos más veloz lograda hasta ahora: cuatro veces más rápida que el desempeño de los chips de memoria Graphic Double Data Rate (GDDR) de 1.6GHz y doce veces más rápida que las mejores memorias PC de 533MHz de su clase.

Las aplicaciones de banda ancha de próxima generación requieren procesamiento en tiempo real de enormes cantidades de datos, lo que sólo puede lograrse con el soporte de chips de memoria de gran capacidad y ultra alta velocidad.

Toshiba satisface estas necesidades con su XDRTM DRAM. La compañía continuará desarrollando y comercializando el XDRTM DRAM como un dispositivo de memoria junto con la memoria flash NAND y MCP.

ESPECIFICACIONES
Configuración:
Palabra de 4 megabits x 8 bancos x 16 bits (x4/x8/x16 programable)

Fuente de energía:
1.8V VDD

Tamaño del paquete:
1.27mm x 0.8mm pitch BGA

Interfaz:
DRSL (Differential Rambus Signal Level)

Velocidad max de datos:
4.8GHz

Tiempo min. del ciclo:
40ns (tRC)
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  #1  
Creado: 19-Apr-2005, a las 20:43 Vistas: 576
Categoria: Noticias de Ciencia y Salud
Creado por: W-Bot W-Bot está desconectado (18-February-2005 | Colombia | 5.563 Mensajes.)
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Etiquetas
dispositivo, más, memoria


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