Samsung comienza la fabricación de memoria Flash de 64 Gb a 20nm

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Samsung comienza la fabricación de memoria Flash de 64 Gb a 20nm

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Samsung Electronics ha comenzado la fabricación a gran escala de chips de memoria flash de 64 Gb utilizando el proceso de fabricación de 20 nm. Los nuevos productos les permitirán reducir costes tanto en tarjetas de memoria como unidades flash, aumentando al mismo tiempo la capacidad de los mismos.

Los chips NAND de 64 Gb fabricados a 20nm ofrecen una productividad un 60% superior a los de 32 Gb y 30 nm. También obtendremos un mayor rendimiento al aplicar las especificaciones DDR v1.0, comparándolas con la SDR de los chips NAND de 30 nm.

Samsung espera que estos nuevos chips consigan amplia aceptación de la tecnología Toggle DDR en los discos USB flash, smartphones y SSDs. Esto último (SSD) no parece probable a menos que Samsung haya conseguido aumentar el número de escrituras en estos chips antes de que se desgasten (vida útil).

Enlace:http://www.xbitlabs.com/news/memory/...cess_Tech.html

Fuente: Noticias 3D
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Creado: 15-Oct-2010, a las 12:07 Vistas: 628
Categoria: Noticias de Hardware y Electronica
Creado por: brochetas brochetas está desconectado (20-April-2010 | Colombia | 17.205 Mensajes.)
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20nm, comienza, fabricacion, flash, memoria, samsung


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